При замещении индия галлием создаются солнечные батареи из селенида-меди-индия-галлия (CIGS). В 2008 году CIGS прошел этап эффективности в 20%. Ячейки CIGS являются наиболее важными тонкопленочными солнечными элементами, состоящими из тонкого слоя сульфида кадмия (CdS), который образует гетерогенный переход p-n с более толстым поглотителем CIGS Cu (InGa) Se2.
Тонкие пленки Cu (InGa) Se
2
готовят одностадийным электроосаждением из низкоконцентрированных растворов солей металлов на молибден. Индий, селен и медь в электролитах определяются полярографией на капающем ртутном электроде (DME). Для анализа галлия используется анодная зачистка на висящем ртутном капельном электроде (HMDE). Как уже упоминалось в главе СНГ, вольтамперометрия также контролирует содержание Cd и тиомочевины для осаждения CdS.
> Подробнее о вольамперометрии